Name: GT50J121(Q)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: GT50J121(Q)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: GT50J121(Q)

Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Beschreibung: IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - igbts - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: GT50J121(Q) PDF

GT50J121(Q) Notiz

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Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Obsolete
igbt-Typ:-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):50 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):100 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.45V @ 15V, 50A
Leistung max:240 W
Schaltenergie:1.3mJ (on), 1.34mJ (off)

Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:-
td (ein/aus) bei 25 °c:90ns/300ns
Testbedingung:300V, 50A, 13Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):-
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-3PL
Gerätepaket des Lieferanten:TO-3P(LH)

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