TPH3206PSB

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Herstellerteil

TPH3206PSB

Hersteller
Transphorm
Beschreibung
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
1490
Datenblätter online
TPH3206PSB PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Last Time Buy
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:16A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:180mOhm @ 10A, 8V
  • vgs(th) (max) @ id:2.6V @ 500µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:6.2 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±18V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:720 pF @ 480 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):81W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB
  • Paket / Koffer:TO-220-3
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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