IRF6621TR1PBF

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Herstellerteil

IRF6621TR1PBF

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
7248
Datenblätter online
IRF6621TR1PBF PDF
Anfrage
  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:12A (Ta), 55A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:9.1mOhm @ 12A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.25V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:17.5 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1460 pF @ 15 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):2.2W (Ta), 42W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:DIRECTFET™ SQ
  • Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric SQ
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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